浮区法单晶生长技术通过固-液过程实现单晶生长，由于其晶体生长过程中无坩埚污染、生长状态便于观察、可获得大尺寸优质单晶等诸多优点，目前已被广泛应用于各种超导材料、磁性材料、铁电材料、热电材料、光学晶体等诸多研究领域。尤其近年来德国SciDre公司新发展的高温高压光学浮区法单晶生长系统可实现3000°C高温及300bar高压；同时，加利福尼亚大学的Stephen D. Wilson等人近期与SciDre公司合作搭建了最高设计压力高达1000bar的浮区法单晶生长系统。另外，Quantum Design 日本也已相继推出了新一代卤素灯浮区炉和激光浮区炉，前者采用了全新的高效反射镜设计方案，而后者则采用了独特的温度梯度优化方案及先进的温控技术；日本GES公司推出的四电弧法单晶炉系统也在高熔点金属间化合物晶体生长领域发挥着愈来愈大的作用。随着科学技术的不断进步和发展，各种极端单晶生长条件也不断刷新记录，我们相信随着浮区法和四电弧法单晶生长技术的不断突破，今后也会有更多的优质单晶材料服务于广大科技工作者。

本报告将简述目前市面上常见的几种浮区法（以加热源不同可分为：卤素灯、氙灯、激光等三种类型）和四电弧法晶体生长技术的基本原理，并将重点介绍一些最近几年国内外单晶炉用户已发表的文献，文献中的单晶材料包括：β-Ga2O3、Ca10Cr7O28、 (InNb)0.1Ti0.9O2、Ruby、SmB6、Ba2Co2Fe12O22、Nd2Mo2O7、SrRuO3、La4Ni3O10 and Pr4Ni3O10、Li(Mn,Fe)PO4、GdTiO3、Nd2Zr2O7、Li2CuO2、Hf0.86Y0.13Eu0.01O1.93、Ce0.98La0.02Ir3Si2、Mn3Sn等，希望通过这些案例的介绍能对大家今后的工作提供些启发。