功率IGBT器件测试系统及自动化简介

半导体材料与器件科学云讲堂

半导体材料已发展到第三代，每一次半导体材料的突破带来的是一系列技术变革，也使尖端的新型器件研发面世成为可能。新应用标准，新材料特性，新设计和测试方式，新生产工艺流程，新半导体流片技术对测试设备和技术带来持续挑战。

泰克作为专业的测试平台，将带您从测试的角度，切分出六大类测试流程，去剖析并解决半导体从设计到生产过程中带来的一系列新问题。

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第2季第二期——7月31日|功率IGBT器件测试系统及自动化简介

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT 的静态特性主要有：伏安特性、转移特性。其动态特性又称开关特性，分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。

直播亮点预告

本次直播，我们将重点介绍：

1.功率IGBT器件的研究与应用前景

- IGBT器件是什么？

- IGBT的IV和CV性能

- IGBT的应用

2. 功率IGBT的电测试

- IGBT器件主要电参数是什么？

- 为什么要选择PCT-CVU？

- 分立器件和Wafer级产品如何配？

讲师介绍

林彩霞

泰克高级应用工程师半导体测试专家

主要负责华东区域的技术支持工作。多年以来一直在从事测试测量相关工作，积累了丰富的测试经验。目前主攻方向包括低电平信号测试、射频/射频元器件测试以及宽带信号产生与分析、信号完整性测试、自动化测试系统等。

第2季直播预告

8月14日|微机电系统MEMS测试概述

立即预约直播：http://live.vhall.com/640786513

8月28日|MOSFET的准静态CV/超低频CV测试

立即预约直播：http://live.vhall.com/499913124

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